Quand les transistors ont été découverts ?
William Shockley, Walter Brain et John Bardeen sont des physiciens américains. Ils ont inventé En 1947 le transistor chez le laboratoire de Bell Téléphone. Grace à cette innovation Ils ont gagné le prix Nobel pour l’année 1956. Le transistor au silicium est produit en 1954 par Texas Instruments pour la première fois.Présentation d’un transistor bipolaire
Un transistor bipolaire contient deux jonctions PN ou bien des diodes. Ils sont montés en sens inverse. On obtient 2 types de transistors en fonction du sens de montage de ces diodes:
Un transistor a trois connexions : la base (B), l’émetteur (E) et le collecteur. 
On modélise l’émetteur par une flèche .Cela signifie le sens du courant dans la jonction (diode) entre l’émetteur et la base du transistor. Nous appellons l’effet transistor la force qui permet à la diode de conduire en inverse quand il existe une tension localisé sur la base B. 
On peut dire que le transistor est l’association de 2 diodes qui sont représenté ci-dessus.
La polarisation
Les règles
On assure un bon fonctionnement du transistor avec 2 sources d’alimentation. On les note par :- VBB alimente le circuit Base B
- VCC alimente le circuit Collecteur C
Les caractéristiques d’un transistor bipolaire :
Pour ne pas détériorer le transistor, les constructeurs ont défini des valeurs à ne pas dépasser:- VCE0, VMAX : c’est la tension collecteur/émetteur maximal à VBB égale à 0V.
- VBE0 : c’est la tension base/émetteur maximal.
- IC max : c’est le courant maximal au niveau du collecteur.
- P : c’est la puissance maximal que le transistor peut dissiper avec P = VCE.IC.
Principe d’un transistor
Il existe un petit courant au niveau de la base Ib .Son fonctionnement est la permission du mouvement du courant plus grand en partant du collecteur vers l’émetteur IC. Alors, l’équation suivante définit le courant Ib multiplié par un coefficient β constant :Ic = β.Ib
Pour cet exemple le courant dans le moteur est presque 200 fois égale au courant de base . 
On appele Le coefficient β aussi gain de courant du transistor est écrit Hfe dans les différents catalogues. Nous appellons aussi un coefficient d’amplification statique en courant. β a une plage de variation entre 30 et 300 avec un courante :
- On appelle un transistor à petit signaux lorsque β entre 100 et 300.
- Pour un transistor de puissance lorsque β entre 30 et 100.
Comment calculer la résistance de base
On calcule la résistance de base pour trouver un courant de base suffisant. Il y a 2 cas possible lorsqu’on utilise un transistor en commutation: Dans le premier cas le courant de base égal à 0 et le transistor est bloqué. C’est-à-dire Il est un interrupteur ouvert.
Dans le deuxième cas on a la saturation du courant de base. C’est-à-dire un interrupteur fermé. 
On commence par le courant Ic Pour calculer la résistance de base Rb. On calcule ce courant calculé en fonction de la résistance aux bornes du circuit ou bien de la charge et de la tension à ses bornes. Remarque : la tension Vce sat est presque égale à 0 V mais pas nulle. 
Pour la saturation du transistor, il faut un courant Ib suffisant: β.Ib ≥ Ic. Si β est inférieur ou égal à 200 d’après la documentation réalisé par le constructeur, il nous faut : 
Sachant que nous connaissons Ib , Alors on peut calculer maintenant Rb 
On appelle la tension au niveau haut dans la sortie NAND, alors Voh = 3,5V selon le constructeur. Urb = V0H – Vbe et on fait l’application numérique = 3,5 – 0,7 = 2,8 V .Nous allons trouver Rb théoriquement : 
Pour saturer le transistor, nous choisissons une résistance normalisée deux à trois fois inférieur, ou bien on choisit un nombre pour saturer le transistor entre deux et trois Ib. Alors dans ce cas nous allons donner la valeur Rb=1.2kΩ.
Le Transistor à effet de champ MOSFET
En générale, il existe deux structures pour un MOSFET : c’est le transistor à effet de champ à couche d’oxyde de silicium (MOS FET) ou bien le transistor à effet de champ à jonction (J-FET) Alors on ara 2 commandes possibles : Soit à enrichissement ou bien à appauvrissement . Il y aussi 2 autres types soit canal P ou bien canal N. Le MOS FET en anglais (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) son rôle est de contrôler la « grande » source de courant de fuite abréviation (IDS), et aussi la grille-source UGS qui a le rôle de contrôler la tension. On dope le canal P ou N) dans la partie du drain et la source . Ce dernier réalise une conduction à l’aide de la jonction PN .On le polarise en inverse dans la partie : grille et la source. Alors dans ce cas, il s’agit d’un contrôle de tension car la grille n’implique pas l’existence du courant. On les utilise comme des dispositifs semi-conducteurs dans la série des transistors. Sa particularité réside dans l’utilisation de champs électriques pour contrôler la forme du « canal » dans le matériau semi-conducteur, contrôlant ainsi sa conductivité. Ils sont parmi les concurrents des transistors bipolaires dans les différents domaines, par exemple l’électronique numérique.
Le Transistor IGBT
Le transistor qu’on l’appelle IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est bipolaire. Il a une grille et isolée, c’est un dispositif qui contient un semi-conducteur. Il est de la série des transistors qui ont des commutateurs électroniques, ils sont des composants utilisés dans le domaine des électroniques de puissance. Aujourd’hui, un IGBT est le premier responsable dans les améliorations en particulier dans la vitesse variable ainsi que dans les applications des machines électriques et des convertisseurs de puissance qu’on l’utilise dans la plupart du temps, par exemple dans le secteur automobile (les microcontrôleurs), domotique, bus, métros, avions, ascenseurs, télévision, bateaux, trains, électroménager, etc.
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